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POWEREX全碳化硅模塊QJE1210SB1

  • 品  牌:POWEREX
  • 型  號:QJE1210SB1
  • 技術(shù)資料:
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產(chǎn)品介紹

Powerex 碳化硅 MOSFET 模塊設計用于高頻應用。每個(gè)模塊由六個(gè) MOSFET 碳化硅晶體管組成。所有組件和互連都與散熱基板隔離,提供簡(jiǎn)化的系統組裝和熱管理。

性能特點(diǎn)

  • 接點(diǎn)溫度:175°C
  • 良好的Rds(on)
  • 高速開(kāi)關(guān)
  • 低開(kāi)關(guān)損耗
  • 低電容
  • 低驅動(dòng)要求
  • 高功率密度
  • 隔離底板
  • 氮化鋁隔離
  • Wolfspeed 第三代芯片

 

大帶隙能量和高場(chǎng)擊穿是碳化硅 (SiC) 的兩個(gè)主要特性,碳化硅 (SiC) 已被用于創(chuàng )建具有零反向恢復電荷、降低開(kāi)關(guān)損耗和更高溫度工作機會(huì )的新一代功率半導體。

Powerex 將供應商的 SiC MOSFET 和肖特基勢壘二極管封裝到高性能全 SiC 模塊中,或與高頻硅 IGBT 封裝到混合 Si/SiC 模塊中。新的薄型分離式雙封裝具有低電感和適用于高熱循環(huán)應用的銅或 AlSiC 基板。

技術(shù)參數

產(chǎn)品應用

節能電力系統

高頻型電力系統

高溫電力系統


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